ТЕОРЕТИЧНІ ВІДОМОСТІ.
Робота виконується з напівпровідниковим діодом Д226Б. Діод містить електронно – дірковий перехід.
Електронно – дірковий або ( p – n ) перехід – це ділянка на межі поділу двох напівпровідників з різними типами провідності.
Електронно – дірковий перехід має однобічну провідність.
Якщо на діод діє зовнішнє електричне поле, напрямлене від напівпровідника р-типу до напівпровідника n-типу, товщина і опір запірного шару зменшуються, внаслідок чого дифузійний струм основних носіїв зростає і загальна сила струму через перехід велика.
Струм, утворений рухом основних носіїв заряду і напрямлений вздовж зовнішнього поля, називають прямим струмом діода, а його включення – прямим включенням
Із зміною полярності прикладеної напруги на протилежну електричне поле p-n - переходу зростає і дифузійний рух основних носіїв заряду через перехід припиняється. Тому товщина запірного шару збільшується, а опір його зростає.
Проте невеликий струм і в цьому разі проходить через діод, він створюється рухом неосновних носіїв заряду. Цей струм називають зворотнім струмом діода, а включення діода при цьому – зворотнім включенням.
Залежно від напряму струму в діоді прикладену до нього напругу, а також опір діода називають прямим або зворотнім.
Повний текст звіту по Л.Р. можна завантажити тут: http://www.myfizika.ucoz.ua/LR/lr9.zip
| 
